MOSFET
IGBT
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222018-06
基于电荷平衡原理,在全面提升了功率MOSFET的导通特性和开关特性的基础上,结合先进的深槽刻蚀工艺能力,新洁能推出了一系列Super Junction 功率MOSFET产品,已广泛应用于光伏逆变、大功率电源、LED照明、手机充电器、笔记本适配器等领域。
222018-06
采用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新700~900V SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOSFET的需求。
222018-06
Super Trench MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术,最新的75V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比上一代产品降低了45%。新款Super Trench MOSFET的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关,同时也适用于大功率电动车控制器、电动工具电源等的应用。